半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间,半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间,其电阻

摘要： 大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间的问题，于是小编就整理了1个相关介绍半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间的解答，让我...

大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间的问题，于是小编就整理了1个相关介绍半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间的解答，让我们一起看看吧。

1. 半导体四大特征？

半导体四大特征？

半导体的四大特征:一、电阻随温度上升而下降。二、光生伏特效应。三、光导电效应。四、整流效应。

1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但法拉第发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。

不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。

1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体的第三种特征。

在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第四种特征。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

半导体的这四个特性，虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。

半导体是导电能力介于绝缘体和导体之间的材料，半导体的特性有：

掺杂特性：掺入杂质则导电率增加几百倍，如：半导体元件

温度特性：温度升高会使导电率大为增加，如：热敏元件

光照特性：光照不仅使导电率大为增加，同时还可以产生电动势，如：光敏元件

半导体主要有三个特性，即光敏特性.热敏特性和掺杂特性。

所谓光敏特性是指某些半导体受到强烈光芒照射时，其导电性能大大增强；光芒移开后，其导电性能大大减弱。

所谓热敏特性是指外界环境温度升高时，半导体的导电性能也随着温度的升高而增强。

所谓掺杂特性是指在纯净的半导体中，如果掺入极微量的杂质可使其导电性能剧增。

到此，以上就是小编对于半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间的问题就介绍到这了，希望介绍关于半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间的1点解答对大家有用。